作为全球唯一量产EUV光刻机的企业，荷兰ASML在EUV技术研发上也快人一步，现在已经在研发第三代EUV光刻机了。

第一代EUV光刻机是目前在用的，典型特征是NA 0.33，第二代EUV光刻机就是High NA技术的，NA 0.55，该数字越大，光刻分辨率就更高，是制造2nm以下工艺不可少的先进装备，未来能用到1nm节点以下。

High NA的EUV光刻机实际上也已经少量出货，Intel是首家用户，据说已经订购了至少三台，有可能在下一代的14A工艺上大量使用。

ASML内部实际上已经在研发第三代EUV光刻机了，不过具体的指标还不清楚，前几天他们公布了一项革命性的EUV光源技术，可将功率从当前的600W提升到1000W，未来可进一步提升到1500W甚至2000W功率。

这个大功率EUV有可能是未来第三代EUV光刻机的基础，ASML首席技术官Marco Pieters日前在采访中表示他们不仅关注未来5年的技术，还有未来10年甚至15年的技术。

ASML更远大的目标是革新当前芯片的制造方式，他们也把先进封装作为突破点来抓，也推出了先进封装用的光刻机，分辨率无需多高，此前展示的型号也就110nm光刻分辨率，但用于多芯片封装已经很高了。

ASML未来的目标是像盖大楼那样生产芯片，这个理念其实多年前就有了，就是3D芯片，只不过之前的技术做不到，或者解决不了制造、散热等问题。

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